P 型半導体バンド図

半導体工学第9回目/ okm 2 電子のエネルギーバンド図での考察価電子帯 e c e v e f e i 伝導帯金属 (m) 酸化膜 (o) シリコン (s) 電子エネルギー理想mos構造の仮定：・シリコンと金属の仕事関数が等しい。・界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない。熱平衡でフラットバンド金属 P形半導体のバンド図伝導帯価電子帯アクセプタとなる原子はsi原子1000～100万個につき1個程度しか入っていないので、アクセプタ準位は破線で描く。 wc：伝導帯の底のエネルギー wv：価電子帯の頂上のエネル.

【トンネルダイオード】『原理』や『特徴』などをわかりやすく解説！

P形半導体を完全に導体と見なしてしまう場合には， v g=0の時の容量もc oxとなる．しかし，実際には，少し下がる．何故？詳細は，後ほど． cox vg=0 yox yd cfbs cfbs<cox

P 型半導体バンド図. P型半導体 n型半導体わき水[伝導電子]は下へ流れる泡[正孔]は上に浮き上がる水位[フェルミ準位]はどこでも一定エネルギーバンド図の縦軸はは電子に対するポテンシャルであり，・伝導電子：上に行くほどポテンシャルが高い・正孔：下に行くほどポテンシャ金属 p型半導体 qφm qφs 接触後図4 p型半導体によるオーミック接触のバンドの考え方ホールを考えるときに戸惑いやすいのは電子と反対の正電荷を持っていることである。バンド図は電子の高低差を示しており、ホールでは高い方へ動きやすいのである。図2 n型およびp型半導体の電子準位・状態密度図3 金属酸化物al203およびcu20の電子準位のバンド形成の模式図図4 bao中の酸素格子点空孔(vxo,v+o志)およびバリウム格子点空孔(vxba,vba)の局在電子準位 22

図2 (a)金属/n型半導体界面および(b)金属/p型半導体界面のエネルギーバンド図. Mos構造のエネルギーバンド図トランジスタ構造とエネルギーバンド図の対応関係 p n + n + 金属電極（実際は非常に不純物濃度の濃いポリシリコン） sio 2（絶縁物なので，禁制帯幅が大きい） p型si 伝導帯価電子帯絶縁物をはさんでいるためキャリアは移動できない電子 P型半導体と金属によるショットキーダイオードにおける、無電圧、順電圧及び逆電圧のエネルギーバンド図を描きなさい。無電圧順電圧逆電圧 17/80

図1に半導体のエネルギーバンドを示します．複数の原子が結合して複数のエネルギー準位が重なって帯 (エネルギーバンド)を形成します．半導体では価電子が埋まっているエネルギーバンドである価電子帯と電子の伝導に寄与するエネルギーバンドである伝導帯を形成します．.

Semicon 005 of Kairoya