N 型 半導体 バンド 図

P型半導体 n型半導体 わき水[伝導電子]は下へ流れる 泡[正孔]は上に浮き上がる 水位[フェルミ準位]はどこでも一定 エネルギーバンド図の縦軸は は電子に対するポテンシャル であり, ・伝導電子:上に行くほどポテ ンシャルが高い ・正孔:下に行くほどポテンシャ ルが高い と理解する. N型 反転層 空乏層 正孔 (正電荷) 電子 (負電荷) v g < 0 10 mos構造のエネルギーバンド図 トランジスタ構造とエネルギーバンド図の対応関係 p n + n + 金属電極(実際は非常に不純 物濃度の濃いポリシリコン) sio 2(絶縁物なので, 禁制帯幅が大きい) p型si.

N 型 半導体 バンド 図
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図2 (a)金属/n型 半導体界面および(b)金 属/p型 半 導体界面のエネルギーバンド図.

N 型 半導体 バンド 図. N形半導体のバンド図 伝導帯 価電子帯 ドナーとなる原子はsi原子1000~100万個につき1個 程度しか入っていないので、ドナー準位は破線で描く。 wc:伝導帯の底のエネルギー wv:価電子帯の頂上のエネルギー wd:ドナー準位のエネルギー wg:禁止帯幅=エネルギーギャップ イオン化ドナー. 電子の波束とは何であったか? 量子力学における電子波 確率波として・・・ 電子の波動、波動関数 シュレディンガー方程式. Φ χ s φ m ef ef ec ev φ b ef ef ec ev qvd 空乏層 金属/n形半導体のショットキー接触.

かんがえるとき、バンド図を使った方が分 かりやすい。 図1 は金属とn型半導体のバンド図を 別々にかいたものである。 金属 n型半導体 qφm qφs bi 図1 ショットキー接触を考えるための出発イメ ージ 金属とn型半導体を別々バンド図で描いた もの 半導体工学 第9回目/ okm 1 mosfetの動作原理 ・しきい電圧(v th)と制御 ・e型とd型 ・0次近似によるドレイン電流解析. V g依存性の概要 (定性的説明) 各種v gにおけるバンド図.

ルできるようにすればよい.こ のためには,半 導体の種類や φbの大きさによっても異なるが,お よそ少なくと. 真性半導体のバンド構造は, 導体・絶縁体・半導体 で見たとおり,下の図のようなバンド構造です. 絶対零度(0 k)では,価電子帯や伝導帯にキャリアは全く存在せず,電界をかけても電流は流れません. ーバンド図が曲がる。 空乏層の大きさについて p 型半導体内のアクセプターのドープ濃度をn a 、n 型半 導体内のドナーのドープ濃度をn d とする。fig.8 のように、 p 型半導体の空乏層幅をx p、n 型半導体の空乏層幅をx n とす る。

半導体工学 第9回目/ okm 2 電子のエネルギーバンド図での考察 価電子帯 e c e v e f e i 伝導帯 金属 (m) 酸化膜 (o) シリコン (s) 電子エネルギー 理想mos構造の仮定: ・シリコンと金属の.


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