N 型半導体バンド図

P型半導体 n型半導体わき水[伝導電子]は下へ流れる泡[正孔]は上に浮き上がる水位[フェルミ準位]はどこでも一定エネルギーバンド図の縦軸はは電子に対するポテンシャルであり，・伝導電子：上に行くほどポテンシャルが高い・正孔：下に行くほどポテンシャルが高いと理解する. N型反転層空乏層正孔（正電荷）電子（負電荷） v g < 0 10 mos構造のエネルギーバンド図トランジスタ構造とエネルギーバンド図の対応関係 p n + n + 金属電極（実際は非常に不純物濃度の濃いポリシリコン） sio 2（絶縁物なので，禁制帯幅が大きい） p型si.

Semicon 002 of Kairoya

図2 (a)金属/n型半導体界面および(b)金属/p型半導体界面のエネルギーバンド図.

N 型半導体バンド図. N形半導体のバンド図伝導帯価電子帯ドナーとなる原子はsi原子1000～100万個につき1個程度しか入っていないので、ドナー準位は破線で描く。 wc：伝導帯の底のエネルギー wv：価電子帯の頂上のエネルギー wd：ドナー準位のエネルギー wg：禁止帯幅＝ｴﾈﾙｷﾞｰｷﾞｬｯﾌﾟイオン化ドナー. 電子の波束とは何であったか？量子力学における電子波確率波として・・・電子の波動、波動関数シュレディンガー方程式. Φ χ s φ m ef ef ec ev φ b ef ef ec ev qvd 空乏層金属／n形半導体のショットキー接触.

かんがえるとき、バンド図を使った方が分かりやすい。図1 は金属とn型半導体のバンド図を別々にかいたものである。金属 n型半導体 qφm qφs bi 図1 ショットキー接触を考えるための出発イメージ金属とn型半導体を別々バンド図で描いたもの半導体工学第9回目/ okm 1 mosfetの動作原理・しきい電圧（v th)と制御・e型とd型・0次近似によるドレイン電流解析. V g依存性の概要（定性的説明）各種v gにおけるバンド図.

ルできるようにすればよい.このためには,半導体の種類や φbの大きさによっても異なるが,およそ少なくと. 真性半導体のバンド構造は，導体・絶縁体・半導体で見たとおり，下の図のようなバンド構造です．絶対零度（0 k）では，価電子帯や伝導帯にキャリアは全く存在せず，電界をかけても電流は流れません．ーバンド図が曲がる。空乏層の大きさについて p 型半導体内のアクセプターのドープ濃度をn a 、n 型半導体内のドナーのドープ濃度をn d とする。fig.8 のように、 p 型半導体の空乏層幅をx p、n 型半導体の空乏層幅をx n とする。

半導体工学第9回目/ okm 2 電子のエネルギーバンド図での考察価電子帯 e c e v e f e i 伝導帯金属 (m) 酸化膜 (o) シリコン (s) 電子エネルギー理想mos構造の仮定：・シリコンと金属の.

【ダイオード】空乏層が出来る原理